英特尔本周宣布，正与软银旗下子公司SAIMEMORY合作，将Z角内存（ZAM）商业化。ZAM是一种先进的DRAM，可将内存模块垂直堆叠。虽然ZAM芯片预计至少三年内无法上市，但最终可能会取代目前因人工智能蓬勃发展而需求旺盛的高带宽内存（HBM）。

内存带宽目前是人工智能处理的主要瓶颈，因为各组织机构都在寻求将越来越多的数据从内存传输到GPU，然后再传输回内存。英伟达和AMD等芯片制造商正在其GPU芯片上集成数百GB的HBM内存，以缓解这一瓶颈。然而，HBM需求的激增导致全球NAND闪存库存短缺，推高了内存模块和NVMe存储的价格，并造成了供应链短缺。

ZAM 是一种新型内存技术，有望改写 DRAM 的规则。与 HBM 类似，ZAM 内存技术也采用沿 Z 轴的垂直堆叠方式（因此得名 Z 角内存）。然而，ZAM 的容量是 HBM 的 2 到 3 倍，带宽更高，而能耗和成本却远低于 HBM。

英特尔与SAIMEMORY 达成的协议要求两家公司利用英特尔在下一代 DRAM 键合 (NGDB) 计划中开发的基础技术和专业知识。



NGDB 计划是先进存储技术 (AMT) 项目的一部分，该项目是美国能源部和国家核安全管理局 (NNSA) 的一项倡议，旨在将英特尔、SK 海力士和软银等供应商与能源部政府实验室聚集在一起，开发新的存储技术，包括 ZAM、HBM、Compute Express Link (CXL) 和非易失性存储器，如磁性随机存取存储器 (MRAM)。

NGDB项目目前已进入与英特尔以及“三实验室”（桑迪亚国家实验室、劳伦斯·利弗莫尔国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室）合作的第三年。前两年专注于研发，而第三年将侧重于产品化。

今年1月，桑迪亚国家实验室分享了其三元芯片实验室（Tri-Lab）在下一代芯片器件（NGBD）项目中采用“新型堆叠方法”取得的进展。具体而言，该实验室展示了如何使用一种新型的“一体式通孔”结构，将八个存储晶圆垂直键合到一个基底晶圆上。

英特尔政府技术首席技术官约书亚·弗莱曼在桑迪亚国家实验室的最新进展报告中表示：“英特尔的下一代DRAM键合计划展示了一种全新的内存架构和革命性的组装方法，能够显著提升DRAM性能、降低功耗并优化内存成本。标准内存架构无法满足人工智能的需求，因此NGDB定义了一种全新的方法，以加速我们迈向下一个十年。”

桑迪亚国家实验室首席技术人员格温·沃斯库伦表示，英特尔的这项突破“是一项令人兴奋的技术，我们预计它将促使更高带宽的内存被更广泛地应用于目前由于容量和功率限制而无法利用高带宽内存的系统中。”



“此次演示证实，NGDB 技术可以结合起来，生产出高性能、大批量生产的存储器，”他补充道。

据报道，软银将向SAIMEMORY投资30亿日元（按当前汇率约合1900万美元），与英特尔合作开发ZAM芯片。SAIMEMORY方面表示，预计将于2027年推出ZAM原型机，并于2029年实现商业化。

如果这一时间表得以实现，将对下一代人工智能系统大有裨益。然而，由于人脑血容量需求激增，目前供应链面临巨大压力，预计这种需求在未来几年内都不会减弱，因此这一进展来得还不够快。

与此同时，ZAM计划进一步加强了美日之间的战略技术伙伴关系。上周，美国能源部负责科学事务的副部长达里奥·吉尔前往日本大阪参加SCA/HPCAsia 2026会议，以巩固阿贡国家实验室、英伟达、理研和富士通之间扩大的合作关系。吉尔负责“创世纪计划”（Genesis Mission），这是美国能源部旨在通过人工智能加速科学发现和工程进展的一项计划。

开发 ZAM 等新型存储技术来替代或增强现有的 HBM，与 Genesis Mission 的目标密切相关。

英特尔全球战略合作总监萨南·马斯鲁尔在2 月 2 日的一篇博客文章中写道：“从 AMT 过渡到 ZAM 加强了值得信赖的美国和日本技术合作伙伴关系，并加快了从国家实验室研究到全球部署的进程。 ”